电子放大镜
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近日，美国明尼苏达双城大学研究人员和美国国家标准与技术研究院(NIST)的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。研究论文发表在最近的《先进功能材料》上。该研究团队通过使用铁钯(一种需要更少能量并具有更多数据存储潜力的替代材料)材料替代钴铁硼，可将材料缩小到5nm的尺寸，从而克服了程师无法在不失去数据存储能力的情况下制造小于20nm的器件这一难题。而且，研究人员首次使用支持8英寸晶圆的多室超高真空溅射系统在硅晶圆上生长了铁钯。
