电子放大镜
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4月1日消息，美国南加州大学、马萨诸塞大学、麻省理工学院等高校的多位华人学者研发了一款基于忆阻器的新型AI芯片，通过设计一种对忆阻器“降噪”的方法，实现了更高的电导等级。这项研究进展有助于提高边缘设备上AI计算的算力和能效。 该团队将由一家商业晶圆代工厂生产的256 × 256忆阻器阵列单片集成在CMOS电路上，在完全集成芯片中实现了2048个可区分的电导等级，这比此前研究的电导等级高出一个数量级。 相关论文在3月29日发表于国际顶级学术期刊Nature。论文题目为《集成在CMOS上的忆阻器有数千个电导等级》（Thousands of conductance levels in memristors integrated on CMOS）。
