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据韩国媒体THELEC报导,三星电子正在推进设备投资,以开发8英寸SiC/GaN工艺,目前已经投资了1000 亿至 2000 亿韩元(约合人民币5.3亿至10.6亿元)。SiC和GaN被认为是下一代功率半导体材料。与传统的硅相比,它具有出色的耐高温和高电压耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好,以电动汽车为代表的汽车市场对它的需求不断增加。由于开关速度快,GaN被评价为更适合高频环境下的无线通信。
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