电子芯技术
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通过将脉冲宽度减小到2ns，罗姆称其可以使用单个电源IC将高达60V的电压降到低至0.6V的低电压。 罗姆开发了超高速控制 IC 技术，以最大限度地提高 GaN 和其他高速开关器件的性能。 罗姆表示，通过将控制 IC 的最小控制脉冲宽度从传统的 9ns 减小到 2ns，在 24V和48V应用中，使用单个电源 IC 可以将高达60V的高压降到低至0.6V 的低电压。最重要的是，当与EcoGaN电源电路配合使用时，与传统解决方案相比，支持更小的动外围组件来实现GaN器件的高频开关，使安装面积减少了约86%。 罗姆目前正致力于利用该技术实现控制IC的商业化，并计划在2023年下半年开始出货100V单通道DC-DC控制IC的样品。与罗姆氮化镓器件（EcoGaN 系列）结合使用，有望让各种应用实现显著的节能和小型化，包括基站、数据中心、工厂自动化设备和无人机。
