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近日，铠侠和西部数据宣布推出218层3D NAND Flash（闪存），现已开始样本出货。据悉，两家公司通过引入几种独特的流程和架构降低了成本，实现了持续的横向扩展。这种垂直和横向缩放之间的平衡以优化的成本在更小的模具中以更少的层产生更大的容量。两家公司还开发了开创性的CBA（CMOS直接连接到阵列）技术，其中每个CMOS晶圆和电池阵列晶圆在优化条件下分别制造，然后结合在一起，以提供更高的比特密度和更快的NAND I/O速度。
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