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氮化镓功率器件能提升多少效率?

 微观人

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GaN功率器件包括SBD、常关型FET、级联FET等产品,主要应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。随着技术水平的进步与成本控制,GaN材料将在中低功率取代硅基功率器件,在300V~600V电压间发挥优势作用。

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回复微观人:氮化镓功率器件可以支持更高的开关频率(GaN:1MHz,Si:<100KHz),从而减小无源器件的体积
回复微观人:氮化镓功率器件可以支持更高的开关频率(GaN:1MHz,Si:<100KHz),从而减小无源器件的体积。
回复微观人:“而一个使用Power Integrations (PI)公司基于氮化镓的InnoSwitch™器件的65W反激式适配器,其效率在10%负载下将约为88%。在满载时,这款氮化镓设计的效率将达到约94%。假如用氮化镓器件取代硅MOSFET,在整个负载范围内将可实现约3%的效率改进。图4:碳化硅与氮化镓适配器在满载时的效率比较效率提高3%相当于损耗减少至少35%。

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