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全新铁电晶体管芯片:厚度直奔0.7nm 更强更省电

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7月14日消息,随着摩尔定律的放缓,传统的硅基芯片在10nm之后越来越难以制造,业界一直在寻找新的材料和技术,美国宾夕法尼亚大学的团队日前宣布研发出了新的铁电晶体管芯片,厚度最低可以做到0.7nm。

这个晶体管结构是在铁电材料氮化铝钪(AlScN)上覆盖了二硫化钼(MoS2),后者是一种二维半导体,该研究首次将这两种材料结合在一起,并且在计算及存储两方面都展示出了优势。AlScN材料厚度为20nm,MoS2更是只有0.7nm,本以为不能承受前者注入的电荷量,最终实验取得了成功,证明了这两者结合之后可以良好运行,不仅可以可靠地存储数据,而且性能更好,还更节能。

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回复智能未来:随着进一步发展,这些多功能设备几乎可以在你能想到的任何技术中占有一席之地,尤其是那些支持人工智能并消费、生成或处理大量数据的技术——从传感到通信等等
回复智能未来:这里面有很大一部分科研成果是华人科学家的贡献,应该和中国共同分享一下这个科研技术成果,出生在世界各地的神人跑到美国去搞发明

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