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7月31日，据半导体行业人士透露，三星电子、SK海力士等韩国本土存储半导体企业正在推动HBM专用线的扩张。HBM，也称为“高性能 DRAM”，与传统 DRAM 相比，数据容量和速度提高了十倍以上。内存半导体公司通过垂直堆叠生产的 DRAM 晶圆并通过在芯片上钻孔的先进封装工艺将它们进行电气连接来完成 HBM。 两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。SK海力士计划利用利川现有HBM生产基地后的清州工厂的闲置空间。三星电子正在考虑扩大位于忠清南道天安市的 HBM 核心生产线，该地区是设备解决方案部门下的先进封装团队的所在地。
