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闪存层数大战!SK海力士即将发布321层NAND Flash

 智者先行

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SK海力士于8月8日宣布,借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品,使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。

SK海力士表示,321层堆叠的1Tb TLC 4D NAND Flash闪存性能,相比上一代238层堆叠的512Gb 4D NAND Flash闪存提高了59%。而提升性能的原因在于数据储存单元可以用更多的单片数量堆叠到更高,这使得在相同大小面积的芯片上达到更大储存容量,也进一步增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

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回复智者先行:SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达在发表主题演讲时表示:“我们以通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品,巩固品牌在NAND技术领域的领先地位”。“公司将积极推出人工智能时代所需的高性能、大容量NAND产品,继续引领行业”。
回复智者先行:我们以通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品,巩固品牌在NAND技术领域的领先地位

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