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TL494全桥逆变电路，在高侧采用 p 沟道 MOSFET，在低侧采用 n 沟道 MOSFET，使得设计容易出现击穿问题。如何避免击穿问题，保证全桥导通两侧的完美隔离，以及变压器初级的正确切换？
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