回复汤圆爱科技：清洗所述晶圆表面,清洗后的所述晶圆表面呈正电性,晶圆表面残留物具有负电性;调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性,使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电性;
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近日，据国家知识产权局官网消息，中芯国际专利名称为“晶圆的清洗方法”的法律状态为已获授权，公开号为CN111584340B。 专利摘要显示，一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供晶圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶圆表面残留物具有负电性；调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电性；对所述晶圆表面进行干燥，去除所述残留物。根据同性相斥的原理，经过调节后所述残留物与所述晶圆表面电性相同，因此所述残留物不会粘附在所述晶圆的表面，而是悬浮在晶圆表面的液膜内。在后续的干燥过程中，悬浮在液膜内的残留物会随着液膜一起被去除，提高了产品良率。
