屏蔽层引出一根线要接地也即电位的参考点。常规的屏蔽是做在初次级绕组之间。无论是最外层还是里面绕组间做屏蔽都需要注意,用铜箔包裹绕组时,铜箔头尾重叠需要绝缘。
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24W 12V2A 辐射40Mhz有尖峰波形 输出12V2A,在40Mhz位置会有个尖峰波形上去,始终压不下去. 试过很多办法,变压器屏蔽圈数调整,层顺序调整,贴片mos方向调整,走线调整,,VDs增加贴片电容33PF/1000V ,Y电容目前使用的是102/400V,变压器高压对地增加瓷片电容103/1KV,效果明显下来,但是希望他的辐射量更好,初级一个共摸电感7-8Mh,次级没有滤波磁环,用的一个同步SOP-8mos。 还想问下各位大佬还有什么其他办法去调整优化不?