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最近,日本媒体报道了一项SiC晶锭切割技术——日本DryChemicals公司开发出一种工艺,自称可将SiC衬底的生产成本降低 20-30%。 DryChemicals公司认为,之所以晶锭切割损耗高,是因为在切割时磨料产生了上下漂移,导致切割不够精准。 据该公司主管Masao Ikeda透露,他们的做法是——在进行正式切割前,先在SiC晶锭上制作一些小凹槽,这些凹槽可以让磨料有效穿透,这样就可以防止切割漂移,从而最大限度地减少对衬底表面的损害。
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