回复微电路观察：随着技术的不断发展和完善，我们期待着看到这些新技术在实际应用中取得更大的成果。
微电路观察
下载贤集网APP入驻自媒体
除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。 在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。 工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumpless bongding)，将铜层与铜层直接互连。
