回复科技仓：8年后如何1nm成熟，2nm开始冲刺1.8 1.6nm，马上工艺瓶颈，8年后能1.4nm量产就谢天谢地！
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2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct backside contact)，可以缩微至60nm。 二是同一块300毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。 三是全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管，可以让晶体管物理栅极长度微缩到10纳米以下。
