回复科技仓:上山下乡了 也简单 一个芯片巴掌大
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2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上,Intel展示了多项新的半导体技术突破,继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS晶体管,一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET),结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct backside contact),可以缩微至60nm。 二是同一块300毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管,且性能良好。 三是全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管,可以让晶体管物理栅极长度微缩到10纳米以下。