回复材料每日新鲜报：使用含cr的大面积薄膜作为铬源,使用等离子体增强化学气相沉积技术,实现了低温制备晶圆级1t相crte2薄膜,提高了制备效率和材料产量,方法简单,可靠性高
材料每日新鲜报
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近日，中国科学技术大学Peng Li和Nan Gao、美国密苏里大学Guang Bian、南京邮电大学Wei Niu、英国爱丁堡大学Elton J. G. Santos联合报道了一种低热衡算的晶种生长技术，可以在非晶SiNx/Si和SiO2/Si衬底上制备毫米级CrTe2薄膜，包括Bi2Te3种子层。 相关研究工作发表在国际顶级期刊《Advanced Materials》上。
