回复材料内参：为我国的科学家们点赞！
材料内参
下载贤集网APP入驻自媒体
近日，复旦大学Yuanbo Zhang、Changlin Zheng、Yichen Song，深圳先进研究院Liping Ding、中国科学技术大学XianHui Chen联合报道了一种生长策略，可直接在绝缘衬底上大面积生长黑磷纳米带。 研究者用黑磷纳米颗粒进行化学气相传输（CVT）生长，并获得仅沿[100]晶体方向的均匀单晶黑磷纳米带，厚度低至三个原子层、宽度低至14.0 nm。通过结构计算，发现锯齿形边缘的自钝化是优先一维生长的关键。单个纳米带的场效应晶体管表现出高达~104的开/关比，证实了纳米带良好的半导体性能。
