硅MOS管的驱动电压在+12-15V,碳化硅MOS管的驱动电压+18V,负压关断-3V，有碳化硅MOS管驱动芯片
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请教各位前辈！目前在实验室试做CLLC电路，全桥输出预计要达最高800伏，采用UCC25600作为控制IC搭配UCC37324作为GATE DRIVER，因为IGBT切换频率貌似不能太高(预计设计谐振频率80kHz)，因此想采用SiC MOSFET来做开关，由于小弟对负压驱动不太理解，只有用过普通MOS驱动(+15V/0V)因此想直接用单电压驱动，爬文后查到使用第三代Trencg SiC MOS，由于Vgs_th较高，不易误动，似乎可以零压关断，不知道SCTˋ4062KE这款SiC MOS能否直接透过普通Si MOS方法(+15V/0V)驱动呢，或是需要注意什么呢，若是不能通用的话，小弟有买款金升阳的QA151C这款驱动电源(+20/-5V)，不知道有这款电源，再设计Push-Pull电路就可以驱动SiC MOS了吗?
