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请问老师:为什么一般IGBT需要负压关断,而MOS...

 王为昌

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请问老师:为什么一般IGBT需要负压关断,而MOSFET可以0V关断?IGBT需要负压关断是因为关断时刻的弥勒电容上产生的电流在门极电阻上形成电压而导致误导通?还是因为IGBT的拖尾电流严重,需要负压让IGBT快速关断。请问MOS为什么0V关断就可以呢?还请大佬赐教!

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确实是这样的,技术在进步,当你穿越过来的时候很多技术已经更新了。约在20年前应用在电磁炉的IGBT都不需要负压驱动。
负压确实有贡献,可以降低关断时刻的米勒平台时间,软件自带的模型不明显放大后才能看出差别
严格来说,只要是上下管结构的(桥式,同步buck等),最好都有负压。只是搞负压麻烦,很多应用场合能省就省。
IGBT关断时刻米勒电容上产生的电流在门极电阻上形成电压而导致误导通的问题,这是负压关断技术需要解决的一个方面。负压关断可以确保在关断过程中,由于米勒电容产生的电流不会使IGBT误导通,从而提高了关断的可靠性。
使用负压关断可以迅速减小栅极与发射极间的电压,从而迅速关闭IGBT。这种快速关断有助于减小开关时间,降低开关损耗,并提高系统效率。负压还有助于减小关断过程中的电流和电压峰值,进一步减小功耗。

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