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求教一个GAN SIC MOSFET 体二极管问题...

 无雨歌

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求教一个GAN SIC MOSFET 体二极管问题!在看mosfet 的体二极管特性,现在知道SI mosfet  天生就有体二极管,也就是电流可以从S极流到D极(不需要施加驱动信号),但是这个体二极管反向恢复特性比较差。关于新的宽禁带半导体,例如 GAN mosfet,或者SIC mosfet  ,他们反向恢复特性都比较好,求教:
(1)其是否有外并二极管?或者说体二极管是否是比较好的体二极管?
(2)不施加驱动信号,  电流是否可以从S极流到D极?
(3)对比普通的PFC电路(其一般在整流桥后面都有BYPASS 二极管,用来抗inrush 冲击电流),如果把GAN mosfet  作为totem PFC 的功率器件,这个inrush 电流会操坏GAN mos 和Si mos吗?一般会怎么处理?

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MOSFET有好二极管的产品,维二区别是价钱。限流一般用电阻+继电器或NTC。可以装交流或直流侧。SiC有二极管,GaN没有。但都可以在不驱动下逆向导通。
GaN是没二极管,但不代表它是线性元件。非线性元件不只有二极管。SiC MOSFET是有二极管的,就是不能老用,否则;RDSON会反弹。
如果大电流续流,还是外加快恢复类型的二极管。如果做同步整流,死区时间续流,用体二极管就够了
SiC-MOSFET体二极管的正向特性如下图所示。在SiC-MOSFET中,当向漏极施加负电压时,以源极为基准,体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性,即MOSFET处于关断状态,没有通道电流,因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体二极管的Vf-If特性。正如“何谓碳化硅”中提到的,SiC具有更宽的带隙,因此其体二极管的Vf比Si-MOSFET大得多。
对于不施加驱动信号时,电流是否可以从S极流到D极的问题,答案是肯定的。无论是普通的Si MOSFET还是宽禁带半导体如GAN或SIC MOSFET,它们都具有体二极管特性,即在不施加驱动信号的情况下,电流可以从S极流到D极。这是MOSFET本身的结构特性决定的。

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