需要确保所选的BJT和IGBT具有足够的驱动能力，以快速充放电SiC MOSFET的栅极电容。驱动电路应具有快速的开关速度，以减少开关损耗和提高效率。
王为昌
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求教各位大神！应设计需求，需要设计一款能驱动SiC MOSFET栅极，且栅极电压范围为-30-+30V的驱动电路，由于市面上找不到能覆盖-30V-+30V的驱动IC，需要另外设计驱动电路，本想使用单级双BJT(NPN+PNP)方式，但担心驱动能力不足，现在可能需要双级驱动，即双BJT+双MOS/IGBT的方式进行设计。 求教：有无具体BJT, IGBT推荐，能满足驱动速度/能力即可，精度要求不高，最好均能双管合封。也请各位评估下图中方案可行性？具体思路类似下图。
