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入行不久,请问老师:这个对称半桥LLC,和不对称半...

 梓晗

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入行不久,请问老师:这个对称半桥LLC,和不对称半桥LLC,对比起来有哪些明显优点?如果按照讲义计算得到谐振电容为100nF,谐振电感为30uH,如果采用上图的分体式结构,这两个对称的谐振电容是不是分别都为50nF?相当于将非对称的LLC拓扑里面总100nF分为两个。图中的两个D3 D4钳位二极管,其耐压至少要多少V方为安全?求解惑!

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这就是杨波论文所说的分裂电容LLC,电容设计没有什么区别(无非是容值变成两个相并,电流也是一样的)。二极管主要是看过载或短路时的峰值电流,一般都不大,耐压是BUS电压再加点尖峰,电流值都不大的(看具体功率),因为只有过载(启机)时才动作。
对称半桥两个电容应该是5A,输入电容的电流纹波小一些
你把VCC_BAT悬空测试。是不是后面电流太大,VCC带不动
要还是不行,降压芯片输出端,靠近MOS管位置,加一个大的电容试试。
对称和不对称半桥主要是谐振电容的耐压和电流有效值是不一样的,电容的理解你是对的。钳位过流保护看你具体设计参数计算得到的。
对称半桥LLC的驱动电路相对简单,因为两个桥臂的驱动信号是对称的。而不对称半桥LLC的驱动电路可能更为复杂,因为需要独立控制两个桥臂的开关管。
对于你提到的谐振电容和谐振电感的问题,如果计算得到的谐振电容为100nF,且采用分体式结构,那么每个对称的谐振电容确实应该为50nF。这是因为在对称半桥LLC中,谐振电容被一分为二,但总电容值保持不变,以维持谐振条件。
一般情况下,对称半桥LLC的驱动电路相对简单,因为两个桥臂的驱动信号是对称的。
我觉得钳位二极管的选择对于钳位二极管D3和D4的选择,它们的作用是在谐振期间吸收剩余能量,从而保护主开关管不受到过高的电压冲击。具体耐压的选择取决于系统最高电压加上一定的安全裕度。假设您的输入电压为 Vin ,谐振频率下的峰值电压可能为2倍输入电压(即2Vi n )。因此,钳位二极管的耐压至少应该大于2倍的输入电压加上一些裕量,例如3倍 Vin 。也就是说,如果您的输入电压 Vin 是400V,那么钳位二极管的耐压应该至少选择为1200V。
对于您提到的谐振电容和电感的具体数值,如果采用分体式结构,那么对称半桥中两个谐振电容各为50nF是合理的,相当于将总的100nF分成两部分。这是因为在对称半桥中,每个谐振电容所承受的电压应力会降低,因此每个电容的容量为50 nF 即可达到相同的效果。
如果按照讲义计算得到谐振电容为100nF,并且采用分体式结构的话,那么这两个对称的谐振电容理论上应该都是50nF,相当于将非对称的LLC拓扑里面总100nF分为两个。但需要注意的是,实际电路中可能还需要考虑其他因素,如电容的耐压、ESR值、尺寸和价格等,因此最终选择的电容值可能会有所不同。

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