检查MOSFET的驱动电路，确保它们能提供足够的栅极驱动电压和电流，以快速、完全地开启和关闭MOSFET。考虑添加栅极电阻，以改善MOSFET的开关性能。
技术小工
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各位老师，如图设计的H桥电路，设计没有采用自举电路，而是PMOS+NMOS方案，电压范围20-60V。设计思路是：PWM1=脉冲信号，PWM2= 0，H1和L2同时导通/关闭，L1和H2关闭，电流路径Vbat->PQ401->M1+->M1-->NQ404->F401->MGND。同理，另一侧类似。好处是去除了自举电路，理论上该电路不会出现上下桥路导通情况，可大大提升电路的稳定性。现在面临的问题是，电路无法正常工作，请问是怎么回事，应该怎么解决呢？
