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在使用一款额定电流为20A的MOSFET构建一个DC-DC变换器时,我注意到在90%的额定负载下,即18A的持续电流时,MOSFET的结温超过了150°C,接近其最大额定结温175°C。请问这可能是由于什么原因造成的,比如器件的导通电阻、散热片的设计或热界面材料的选择?我应该如何改善散热设计或选择更合适的器件来降低温度,以确保变换器的可靠性和寿命?

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如果散热片面积不足、材料导热性能不佳或散热片与MOSFET之间的热界面材料(TIM)选择不当,都会导致热量无法有效散发,从而使MOSFET结温升高。

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