更好的解决方案是在RS+和RS路径中连接PMOS晶体管，如图1所示。PMOS开关在存在正共模电压时导通，允许IC正常工作。当共模电压变为负值时，FET立即关断（变为开路），在检测电阻和输入引脚之间插入一个反向二极管，从而通过防止内部ESD二极管导通来保护IC。
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关于max4080电流采样芯片内部电路问题 由于最近做一个供电电路板,需要用到电流采样功能,于是选用max4080芯片.在看文档的时候,希望了解一下内部电路,发现有点看不懂,请各位高手指点一下,如图: 文档中说,"电流从源流经采样电阻到负载,产生Vsense,因为反相输入端阻抗很高,流过Rg2的电流可以忽略(可忽略输入偏置电流),因此反相输入电压就得出了.又由于运放的开环增益迫使其同相输入端电压与反相输入相同(没懂,为什么是开环增益造成的?)因此RG1上的压降等于Vsense,内部电流镜使Irg1电流放大到IA2."描述就直接跳到这步了,我一直没明白运放输出端接一个三极管的基极,集电极有一个正反馈到运放的同相输入端是什么电路,因为学习的模电以负反馈为主,可能是我没有融会贯通吧,一直没有明白这是什么意思?难道是把电压变化转换成电流变化?作了第一级电流放大然后输出到电流镜,进行温度补偿? 具体请大家帮忙分析下吧,谢谢!
