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想做一个电瓶修复器,开始一切似乎还算顺利,但最后遇到了vmos关断的时候,有一个高达58v的电压尖峰脉冲(此时平均充电电流仅约0.8A),我尝试着调整了输入电阻、在DS之间增加了RC吸收电路(的确消除了关闭时的震荡)、也在G极和D极增加过穿心磁珠,我虽用的是洞洞板,但焊接线应该说已经很短了,然,一切无济于事,真不知道这个脉冲如何消除?特请各位版主、大神帮忙看看,先谢过。另外,Vmos发热明显,通电5分钟肯定摸不得(散热器表面积34cm2),是否是Q1功耗过大?

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啥是修复器,  这个咋工作    30V给12V直接充电?你用一个二极管把这个脉冲引到30V去就OK了
你用一个二极管把这个脉冲引到30V去就OK了我用2A的快恢复,正极接Q1的D极,负极接+30Vcc,实测后发现:1. 关断脉冲明显下降到63v左右,电流的最大负向跌落脉冲也小到一半;2. 在除加这个2极管外未动其他元件的情况下,瞬态电流和平均电流都有增加;3. Q1依然发热,新增二极管也发热明显;4. Vds和Vr电压波形在Q1关断阶段有较大变化,且Q1出现2次导通
版主您好,不瞒您说,我是学机械设计的,对电子技术只是一知半解地弄弄。 开始做这个充电器觉得就一振荡器加个驱动应该不难,没想到弄成现在这样子,不上不下,特别是这么高的关断过冲我第一次碰到,所以挺想乘机会把这个弄个明白。正巧遇到您这个高手,看来我有福了,真心感谢您的指教。 不过我才疏学浅,您这次说的“最好还应该有个拓扑支撑”实在不知道从哪下手,还要麻烦您多提示些方向,比如可参考的学习内容链接、别人实践过的类似案例什么的,谢谢
非常感谢,这个例子对我很有启发。下午我由此扩展的学习了下有关开关电源拓扑结构的知识,并尝试进行电感等参数的计算,但是学着学着,突然感觉 按拓扑结构计算的电感、电容值好像与我的电路的“物理要求”意义不一样,所以想请教确认下:1、按开关电源拓扑结构建立的计算公式,其推导(假设条件)是要确保输出电流是“连续、平滑”的,即电感/电容滤波器是按滤平开关后的方波为目标的进行配置的?2、我这个电路,其实是有意要用低占空比的“脉冲”电流对电瓶充电,按一般开关电源的拓扑分析推导的公式是不是不适合?谢谢,期待您的指教
方其实是有意要用低 占空比的“脉冲”电流对电瓶充电, 按一般开关电源的拓扑分析推的。

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