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关于三相半桥电机驱动 EMI 问题,特来请教!如图,是三相半桥中的其中一路,已经初步定位电机驱动 EMI 的问题来源是三相半桥电路。EMI 辐射超过的频端是 160MHz 处突起一个三角尖峰,最高处超 6db,输入到桥电路的 PWM 频率约是 10KHz。
我的措施:栅极的驱动电阻由原来的 22R 加大至 100R,栅极和源极之间增加一个 10K 的电阻,下桥源极增加一个 1uF 的电容连接到电源输入端,请教各位前辈:我这样的整改措施正确吗,或者有没有其他什么建议?

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优先做好脉冲电流环路最小化,其他问题再议,特别是电机驱动。
一定有帮助,但无参数;无PCB;无负载连接情况;无测试曲线。无法确认。
采用Gate driver驱动MOSFET?那么G-S间不用再加电阻,gate driver内部有的,可以看看芯片规格书。栅极串联电阻会对EMI 有帮助,但是也会增加MOSFET的启动时间也热耗,同时死区设置也需要重新考虑。
栅极的驱动电阻由原来的 22R 加大至 100R,栅极和源极之间增加一个 10K 的电阻。

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