不是这么说的，这是两个问题：1、C1、C2、R1、D3、D4组成的是退饱和保护电路，主要是为了防止Ids瞬时突变到Irms的6-7倍（分析上下管直通的情况会好理解些）时，通过DESAT的功能来切断驱动波形；C1C2来调节消隐时间，R1的作用类似；D3D4之所以用两个二极管主要是耐压的问题，现在一般1个二极管就够了；2、负尖峰，即Vds<0，DESAT内置的电流源会流经Vds的环路，加D1D2可以减小电流源的负担，问题也来了，二极管会引入结电容，会加长消音时间；
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求教老师一个去饱和保护的问题！如图，上面是看到TI设计资料里的一部分，是一款IGBT驱动芯片。其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明：在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化，这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流。为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好 可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND” 请问：所说的肖特基二极管D2和R1连用，限制尖峰引起的电流，是什么工作原理？下图全桥中，当要导通上管时，u点相当于是地，但是下管不同，u点是悬浮的，如何确定？
