中国领先的工业平台

返回贤集网 返回微头条
贤集网技术微头条APP获取

太烧脑,关于三极管驱动同电压负载和不同电压负载问题...

 凤之谷

下载贤集网APP入驻自媒体

太烧脑,关于三极管驱动同电压负载和不同电压负载问题特来求教!假如单片机是3假如单片机是3.3V,继电器是12V的供电,用NPN管可以驱动不?看到很多电路都是那样用的(都不能满足饱和导通的条件啊,集电结正偏,发射结正偏即VB>VC啊,VB>VE是成立的)。也有用光耦的(这个是可以的)。不过用PNP是不能驱动的,为什么?
3.3V单片机,12V继电器可以用Npn不?很多人都是那样用,不过我有我的疑问。饱和导通不是要集电结和发射结都正偏吗?也就是Vb>vc(这个不能满足吧?),vb>ve(这个射极是GND,所以这个满足),求解!

最新回复
发布回复
单片机可以提供3V电压,但通常MOS管门极对源极为3V时是 “开始导通”,此电压是在漏极电流为数十微安条件下测量的,MOS管此时并未达到饱和(教材上通常称为可变电阻区)。要MOS管达到充分导通(漏极源极之间电阻很小),门极电压还要更高一些才行。具体门极电压多少,看该型号MOS管手册。
假如单片机是3.3V,继电器是12V的供电,用NPN管可以驱动不?看到很多电路都是那样用的(都不能满足饱和导通的条件啊,集电结正偏,发射结正偏即VB>VC啊,VB>VE是成立的)单片机电源3.3V,继电器由12V电源供电,用NPN三极管可以驱动。当单片机I/O引脚高电平时,三极管发射结正偏。此时集电极由于有个负载(继电器绕组)联接到12V电源,只要集电极电流够大,负载上的压降就可以接近12V,集电极电压将会很低,低于基极电压。此现像产生的条件是集电极电流够大,而集电极电流够大的条件是基极电流够大(大于集电极电流除以三极管电流放大倍数)。如果三极管基极串联电阻(前两幅图中 “限流电阻” )太大,致使基极电流较小,则三极管不能进入饱和,集电极电压会高于基极电压。
如果负载用比单片机电源电压更高的电源供电,使用PNP三极管控制负载,那么PNP管基极需要很接近负载供电的电压才能够关断,而单片机无法输出这么高电压,致使单片机无法控制PNP三极管,从而无法控制负载。
一般功率N沟MOS管门极需要比源极高数伏特的电压(增强型),MOS管才能够开启,门极电压更高一些MOS管才能够饱和(教材上称为进入可变电阻区)。通常单片机不能输出这么高电压,所以不能使用MOS管。

为您推荐

热门交流