酱香饼 首先检查一下6N136驱动芯片的驱动能力。此栅极驱动波形是正确的,没有什么问题。仔细阅读IRF540N的规格书,找到总栅极电荷这个参数,根据该参数可以确定MOSFET的开关转换速度。也就是说根据总栅极电荷和6N136的驱动电流,可以确定MOSFET的转换速度。MOSFET的转换速度决定了开关损耗,也就是MOSFET状态切换过程中电压和电流的交叠部分。如果转换速度慢,那么意味着开关损耗大。综上所述,你的电路的问题就出在开关损耗上面。而解决该问题的方法有两个:1. 根据6N136的驱动能力选择合适的匹配的MOSFET.2. 根据IRF540N,在满足开关损耗要求的情况下,选择合适的MOSFET驱动芯片。
懿轩 这是你的MOS开关管驱动能力不够。当在第一个平台到来前,MOS管还未导通,故上升速率很快,当达到MOS开启电压VTH(就是波形的的平台电压)时,MOS管导通需要一个高达上百mA的瞬时驱动电流,而你这个电路驱动电流仅为15/2k=7.5mA,太小太小了。在MOS前面加个驱动电路吧