VGS是MOSFET栅极(G)和源极(S)之间的电压。这个电压决定了MOSFET的导通状态。如果VGS电压过低,MOSFET可能无法完全导通,导致导通电阻增大,进而增加损耗和温度。如果VGS电压过高,可能会超过MOSFET栅极的耐压极限,导致栅极氧化层击穿。
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哪位经验丰富的大神能指教一下:PFC mos管中VDS电压如下是否正常?PFC mos下 CH1: VDS CH2: VGS CH3:电感电流。三者波形如图。产品目前在客户端老是存在炸MOS 的情况,想请问一下什么情况下容易导致mos 炸掉?