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关于带第三绕组反激多有不解,哪位老师能指点一下!看...

 无雨歌

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关于带第三绕组反激多有不解,哪位老师能指点一下!看了一下带第三绕组反激拓扑,有如下疑惑:初级和次级的漏感,该漏感是否和第三绕组也存在耦合问题?即此漏感没有完全耦合到第三绕组?初级MOS关断后,变压器初级不是被钳位成VOR了吗?为何还和第三绕组成匝比关系?这是最大疑惑点。恳请指点一下!

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1、原副边的漏感,引起原边绕组尖峰,利用第三绕组与原边绕组紧密耦合的关系,来吸收这个尖峰。2、变压器原边被钳位在VOR,那是不考虑漏感这些的,考虑漏感就存在尖峰,就不是VOR了,而第三绕组,吸收的是尖峰。也就是原边绕组最高电压会被钳位在VIN。
1、原副边的漏感,引起原边绕组尖峰,利用第三绕组与原边绕组紧密耦合的关系,来吸收这个尖峰。2、变压器原边被钳位在VOR,那是不考虑漏感这些的,考虑漏感就存在尖峰,就不是VOR了,而第三绕组,吸收的是尖峰。也就是原边绕组最高电压会被钳位在VIN。
要看充电宝需求的功率。 如果不加协议IC,只能按不超过5V2A充电,还是可以用的。
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