回复材料那些事：这种测量局部电导率的新方法，不仅适用于相变材料，也适用于其他以电阻变化为主要特征的存储器件。
材料那些事
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最近，来自法国国家科学研究中心CNRS与意法半导体ST Microelectronics的研究团队利用原位TEM中的电子全息技术(Electron holography)，实现了相变存储器件中核心材料的局部电导率测量，分辨率达到纳米尺度。 这种测量局部电导率的新方法，不仅适用于相变材料，也适用于其他以电阻变化为主要特征的存储器件，如新型忆阻器等。同时，结合TEM的层析技术，这种方法也可用于材料三维尺度的微观电导率测量。
