看到一个电路，电平转换电路，1.8V转3.3V，源...-贤集微头条

看到一个电路，电平转换电路，1.8V转3.3V，源...

技术小工

下载贤集网APP入驻自媒体

看到一个电路，电平转换电路，1.8V转3.3V，源极接10K上拉电阻电阻到1.8V电源，漏极接2.2K上拉电阻到3.3V电源，现在在3.3V电源接了一个二极管防止漏电，防止的是1.8V电源经MOS管体二极管到3.3V电源产生漏电，请问这种低电平到高电平也会产生漏电吗？

返回微头条首页

2024-06-10 22:37:07

最新回复

发布回复

失心疯

漏电现象通常指的是在电路中不希望有电流流动的地方出现了电流。在电平转换电路中，漏电可能由多种原因引起，包括但不限于：反向漏电流：二极管、MOSFET等半导体器件在反向偏置时仍然会有微小的电流流动，这是由于PN结的少数载流子的扩散运动造成的。寄生通道：例如MOSFET的体二极管，即使MOSFET处于关闭状态，体二极管也可能导通，造成漏电。电路设计不当：比如上拉电阻选择不当，或者电源电压选择不当，超出了器件的最大额定电压，导致器件损坏或异常工作。

作茧自缚

当谈到“漏电”，我们通常是指电流不按照预期路径流动，而是通过非期望的路径（例如从高电位流向低电位）流失的现象。这可能是因为设备故障、设计缺陷或者是材料的特性导致的。在你提到的这个电路中，涉及到了一个MOSFET作为电平转换器。MOSFET是一种场效应晶体管，它的工作依赖于电压控制而不是电流。MOSFET有三个引脚：源极（Source, S）、栅极（Gate, G）和漏极（Drain, D）。在这个特定的电平转换电路里，MOSFET被配置为一个上拉电阻分压器，用于将1.8V信号线上的信号提升至3.3V水平。MOSFET的漏-源通道是通过施加在栅极的电压来控制的。当栅极电压高于源极电压一定的阈值时，漏-源通道打开，允许电流从漏极流向源极。在这个例子中，源极接1.8V电源，漏极接2.2K欧姆的上拉电阻到3.3V电源，这意味着当MOSFET导通时，1.8V信号会通过MOSFET被拉高至接近3.3V。然而，MOSFET有一个内部的PN结，即体二极管（Body Diode），它是由MOSFET结构自然形成的。这个二极管的方向是从漏极指向源极。当MOSFET处于截止状态（即栅极电压低于阈值），而漏极电压高于源极电压时，这个体二极管就会反向偏置并导通，导致从高电位（3.3V）向低电位（1.8V）的漏电现象，这就是你所担心的情况。为了防止这种情况，你添加了一个二极管，使得从3.3V电源到MOSFET的漏极只能有正向电流流过，这样即使MOSFET的体二极管导通，也不会造成从3.3V电源向1.8V电源的漏电。这个额外的二极管确保了电流只能按预期方向流动，即从3.3V电源通过上拉电阻到MOSFET的漏极，然后通过MOSFET到1.8V信号线，从而有效地阻止了漏电。总结一下，漏电的预防措施就是通过二极管的单向导电性来保护电路，防止体二极管的反向导通导致的从高电位向低电位的电流流失。如果你需要更详细的电路分析或者模拟图，我可以提供，但这里已经描述了基本的原理和解决方案。