咬一口奶油 你好 已经解决此问题,原因竟然是原边mos源极与地之间那颗功率贴片采样电阻感性问题,更换为康铜丝本来想解决贴片电阻发热问题 ,没想到解决尖峰问题。但是康铜丝温升依然高 5A有效值流过一颗额定电流10A的康铜丝温升接近90度。同样最关键的mos管温升60度 已经采用较大散热片,请问有没有降低单管正激拓扑原边mos温升办法,现在情况:效率80%左右、采用驱动芯片驱动mos、更换结电容Qgs小3倍mos基本效率和温升相同、开关频率较低一半以上基本相同,以上是目前情况,请帮忙分析下,谢谢
技术小工 Mos电压尖峰的主要原因之一是Mos管在开关过程中的电感和电容效应。当Mos管开关时,由于电感的存在,电流无法瞬间改变,导致电流变化速度较慢。这样就会产生电感电压,使得Mos管的源极电压出现尖峰。