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精通单管正激电压尖峰的大神求赐教! 最近做用3845 做单管正激 第三绕组复位 200W项目,发现原边MOS管尖峰随着负载电流增加 尖峰增加逼近耐压值,想知道这个尖峰与漏感相关 还是与第三绕组 原边绕组绕法相关 还是与励磁电流大小相关? 波形如下。

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第三绕组 原边绕组绕法对漏感影响很大的。 这个尖峰是没有耦合到第三绕组的漏感产生的尖峰电压。
你好 已经解决此问题,原因竟然是原边mos源极与地之间那颗功率贴片采样电阻感性问题,更换为康铜丝本来想解决贴片电阻发热问题 ,没想到解决尖峰问题。但是康铜丝温升依然高 5A有效值流过一颗额定电流10A的康铜丝温升接近90度。同样最关键的mos管温升60度 已经采用较大散热片,请问有没有降低单管正激拓扑原边mos温升办法,现在情况:效率80%左右、采用驱动芯片驱动mos、更换结电容Qgs小3倍mos基本效率和温升相同、开关频率较低一半以上基本相同,以上是目前情况,请帮忙分析下,谢谢
Mos电压尖峰的主要原因之一是Mos管在开关过程中的电感和电容效应。当Mos管开关时,由于电感的存在,电流无法瞬间改变,导致电流变化速度较慢。这样就会产生电感电压,使得Mos管的源极电压出现尖峰。

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