回复材料之友：反铁磁自旋电子学在信息器件方面有这么大潜力，太让人兴奋了
材料之友
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在高密度和超快信息器件方面，反铁磁自旋电子学Antiferromagnetic spintronics显示出了巨大的潜力。磁性隧道结Magnetic tunnel junctions (MTJs) 是一种关键的自旋电子存储元件，通常由铁磁材料形成，最近使用反铁磁材料得到了快速发展。 近日，德国 马普所微结构物理所（Max Planck Institute of Microstructure Physics）Yuliang Chen，Stuart S. P. Parkin等，在Nature上发文，德国马普所研究团队利用二维转角制备策略构建了全反铁磁隧道结，展示了超过700%的非易失性隧道磁电阻比，归因于转角单层CrSBr的累积相干隧穿效应。转角隧道结的TMR温度依赖性较弱，推进了非易失性磁信息存储到原子级薄极限。
