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近日,彭海琳教授与丁峰教授合作在Cu0.8Ni0.2(111)/蓝宝石基底上生长出4英寸超平单晶hBN薄膜,通过强耦合抑制皱纹,形成无缝缝合的平行畴,实现晶片级超薄高κ电介质与二维材料无缝集成。所得复合电介质表现出超低漏电流和超薄等效氧化物厚度,符合国际标准。该发现为二维材料合成和集成铺平道路,研究成果发表于《Nature Materials》。
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