回复材料前沿洞悉：北大彭练矛院士团队太牛了
材料前沿洞悉
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北京大学彭练矛院士团队提出了一种使用可降解聚合物聚结合改进的尺寸限制自对准工艺 （m-DLSA）来制备高半导体纯度和无聚合物包装的A-CNT的方法。综合透射电子显微镜 表征，辅以吸收和XPS表征，提供了强有力的证据，证明通过酸性降解、热溶剂冲洗和真空退火等清洁程序成功几乎完全去除了聚合物包装。 此外，基于这些高半导体纯度和无聚合物包装的 A-CNT 的顶栅 FET 表现出良好的性能指标，包括2.2mA/μm 的导通电流 ( Ion )、1.1mS/μm 的峰值跨导 ( gm )、191Ω·μm 的低接触电阻 ( Rc ) 和可忽略不计的磁滞，代表了基于CNT的FET技术的重大进步，相关研究成果8月14日发表于《ACS Nano》。
