下载贤集网APP入驻自媒体
近期,美国普渡大学陈勇教授、Dmitry Y. Zemlyanov教授以及苏州大学李有勇教授在Nature Materials上发表论文,报道采用了对称驱动的外延生长方法,首次成功合成了亚稳态单层五边形PdTe2。 通过对称驱动外延合成技术,研究人员在Pd(100)基板上直接合成了五边形PdTe2,这一过程利用了基板的晶格匹配来稳定五边形相。随后研究人员采用STM、LEED和XPS等多种手段全面验证了五边形PdTe2的原子结构、层厚度和晶格振动模式。研究表明理论计算与实验结果一致,揭示了该材料为具有1.05 eV间接带隙的半导体。 这一突破不仅验证了五边形二维材料的稳定性,还证明了其在半导体领域的潜力,具有1.05 eV的间接带隙,符合实际测量结果。这一工作,为基于五边形的2D材料合成开辟了新路径,并为探索多功能纳米电子学等应用提供了机会。