普通N MOS管的栅极（G）接入高电压，漏极（D）接入低电压，形成的条件确实会使漏源极（S）导通。然而，背靠背的稳压管连接在栅极与源极之间，可以在一定程度上保护MOSFET及其控制电路，限制栅极电压的峰值，防止过压对MOSFET造成损伤。
小满满
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普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。 是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
