输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容...-贤集微头条

输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容...

飞翔的人

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输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧mos管。我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。电源上电的时候，为了测试实际情况，采用空气开关，也就是断路器上电。 1、Mos管在启动的时候，因为栅极平台电压时间过长，导致此时电流很大，但是同时Vdc又有110VDC电压，因此导致MOS管过功率损坏短路。。 2、还有可能就是断路器上电的时候，内部弹片接触打火，导致MOS管产生过电压或者过电流损坏。请各位大神帮忙看一下，应该怎么处理，如果输入电压是24VDC的话，一点事情都没有。

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2024-10-13 17:23:08

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歲月如歌

有没有可能是 Vgs的电压超过了所选MOS的Vgs？

我不舍

输入110VDC，栅压最多爬到12.9V。一般MOS管最高允许栅压都在20V以上，而且这个电路栅极有超重型旁路，我看栅极击穿的可能性相当小。

南拥夏栀

建议抓一下上电瞬间的电流峰值

别殷勤

MOS虽然是压控器件但要导通需要给Cgs电容充电，这个电容一般很很小，但你这个分压阻值也太大了，会导致导通非常缓慢，如果带点负载，那势必导通过程中发热量很大，散热如果不匹配，就会烧掉。

明轩

你的分析1 是对的。MOS管处于过渡过程太久，耗散超限损坏。可考虑用个施密特门驱动栅极。

曾经爱过

当MOS管处于开启过程太长的时候，MOS管的耗散超过功率管允许最大值的情况下容易烧毁，可以三极管组成施密特门再驱动MOS管栅极，有效控制限制栅极驱动电流瞬间的电流峰值，避免烧毁芯片。

依静

该电路不具备控制充电电流的能力。采取RC延缓启动的措施，用以避免立即开通产生的特大冲击电流造成NMOS管的损坏。110V直流输入，NMOS栅极极限充电电压为12.94V。延缓时间取决于电容C14、C15的充电时间常数和NMOS管的最低启动电压。1.上电经延时后，NMOS从截止到开通的延缓时间还是很短，电流上升速度快，负载电容短时间内充电完成，峰值电流大。四个220uF时，峰值电流可高达几个安培。受得了不，要看所用NMOS管了，除了耐压，还有电流和功率。2.假如电阻R7阻值变大甚至开路，NMOS的栅-源电压将不受限制，必烧无疑！检查R7是否焊牢，阻值是否变大。3.电容C14和C15一旦失效（容量降低）甚至开路，虽然栅-源电压不会超标，但是上电后栅-源电压瞬间满幅，造成仅有的延缓启动功能缺失或不足，导致NMOS管瞬间开通，峰值电流可达几十上百安培！这是最可怕的事情，检查一下C14、C15吧。4.若不想重新设计，又不变动原电路，可以采用增强型N-MOSFET，具有减缓电流上升速度从而降低峰值电流的显著效果。