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不求甚解,求问大神:QR模式MOS开通前振荡的次数与什么参数有关?QR模式的IC ,MOS需要在谷底导通,但是在第几个谷底导通由什么参数决定,与电源的什么参数有关,在第几个谷底导通对电源的哪些性能参数有影响?求详解!

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由FB引脚电压决定。主要是降低轻载时开关频率,提高轻载效率。
与FB信号畸变有关,没经验的工程师经常遇到的问题。
在窄范围输入、小电流输出,特别是带PFC、输出电流小于3A的设计。存在“全范围内”实现第一个谷底开通的情况,此时可以很容易的做到0.3A的电流以下。如果想以尽可能小的输出功率(也就是尽可能小的输出电流)实现谷底开通,与输入电压的范围,输出电流的大小,占空比,开关频率(或者LP)这几个参数有关。与反馈信号没有关系,也与控制芯片没有太大关系,这是可以计算出来的。
在全负载范围内,能看到负载变化时,后面出现带几个谷的情况,个数不一样。
如果楼主能给出用什么芯片,大家就知道什么问题了。其实RCC肯定100%第一个底谷导通。大多IC都不会,并不是这些IC做不到,而是本身这样设计的。QR工作是变频的,但大多IC是限制最高频率的,如最高100K,那么当你设计参数超过100K时就会出现你面提出的波形了。QR模式下负载越轻频率越高,当高到限值时就不会再升高。
第几个谷底导通,与输出功率、Lp 、频率、有关系有谷底震荡说明没有进入QR
什么是QR?Quasi-Resonant,准谐振。为何叫准谐振?因为谐振频率随负载会变。QR反激与DCM反激反激有何不同?QR反激就是具有谷底开通的DCM反激。QR反激与DCM反激相比仅是QR为谷底开通,而DCM反激开通位置是随机的,可能是谷底也可能是谷峰。谷底开通有什么好处?减小开通损耗。谷底时MOS管的DS电压最低,此时开通能最大限度地降低开通损耗,因此,谷底低一些对减小MOS管的开通损耗很有好处。谷底电压的高低与什么有关?谷底电压与反射电压有关,换句话说,谷底的大小基本就是反射电压的大小。在第几个谷底开通由什么决定?当然是由控制芯片决定的,这不是用户自己能设计出在第几个谷底开通的。有些控制芯片设计成不管负载大小始终在在第一个谷底开通,比如Infineon的ICE2QR系列的控制芯片,有些芯片设计成随负载变化开通谷底在第1 - 第4个谷底,比如On Semiconductor 的NCP1379,1380等。总体来说,一般开通的谷底大致在第1-第7个谷底。不同的谷底开通有何不同考虑?当然是考虑损耗了,始终在第一个谷底开通的好处是芯片设计容易,价格相对应该低一些,不利的是由于始终在第一个谷底开通则当负载变轻时开关频率将明显升高,带来的后果就是MOS管的损耗加大。其频率范围的变化可以达到从满载的40K - 轻载的200K,可见轻载时开关损耗较大。而On Semi芯片的开关频率大约在50-70K之间变化,这对轻载时减小损耗很有利。暂时想到这些,说得不对尽管劈砖,有问题也尽管提。
谷底大小基本就是反射电压大小有歧义的 ,怎么理解如果是第一谷底导通那 基本上是平台电压减去2*反射电压
与最高频率的限制有关。如果你用NCP1207A,轻载时,当反激时间小于8us,就不能在第一个谷底开通,自动寻找之后的谷底,直到时间大于8us的那个谷底。如果你用NCP1207B,允许的最小反激时间可以到4.5us,那么,你的反激电源在第一个谷底开通的负载可以再轻一些。
其实问题集中在了AUX绕组上面的负压问题,可那个负压的地和芯片的参考地是在一起的,所有芯片就不存在负压了,而是检测了整个AUX绕组的正负电压。这样就保证了谷底检测(55mV对应Vp主绕组的折射电压能有多少呢??)

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