其实是有电子器件都会有漏电流情况，只是多少而已，像NMOS和PMOS本身也会需要消耗电流的，其数值大小取决于器件制造本身所确定的，重点是NMOS和PMOS的漏电流参数IGSS和IDSS，一般实际在线应用能够不大于出厂参数就算已经是极低的漏电流了，即使这样也还是需要在电路实际制作中加以控制和适当调整至最佳状态。
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有没有高手了解MOS管的漏电流，求指教！在微型可穿戴设备中，对于电池的功耗要求很高，所以为了省电，其实电路也是很多的，最省电的无疑就是直接断开电池的供电了。这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的，重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS，一般小于多少才算是极低的漏电流？ 懂行的高手请指教！
