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难住了,求助各位电源大神!用PI的TOP266VG...

 王为昌

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难住了,求助各位电源大神!用PI的TOP266VG做反激电源,在测试辐射EMI的时候在100多Mhz的频点不过。 咨询PI的技术支持之后,他们过来再原副边的的地之间加了一个222的Y电容,然后该辐射EMI的问题就得到解决了,所加Y电容位置跟上图相似。根据我的了解,Y电容只对传导EMI的共摸噪声有改善作用,为什么会对辐射EMI也会有改善的作用?找了很多资料始终没有找到解释这一现象的原因,请大家帮忙看看有什么好的理论可以解释在原副边的地之间加了一个Y电容就可以改善辐射EMI?

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这么高的频率,通过Y电容吸收泄放回路滤除,是极有可能的,至于原因其实跟高频滤波大致一样。
这个电容也不能加的太大,否则做EFT的时候,会有初级脉冲传到次级
传导与辐射的产生的本质是一样的么,都是高频干扰电流产生的。
个人理解,应该是把高频电流旁路,减小了环路面积,不让它去“天线”上
首先我帮你纠正一下:EMC=EMI(传导)+RFI(辐射);EMI=0.15MHz-30MHz;RFI=30M-300NHz;Y电容不只是可以遏制共模干扰,同时可以遏制差模干扰;原理就是遏制变压器因漏感和分布电容引起的谐振……
1、辐射分差模辐射和共模辐射,差模辐射只要环路做的小一般不会超,最主要的是共模辐射,很容易超标;2、造成辐射的条件要有 “激励源+天线”,原边干扰通过变压器原副边的寄生电容耦合到副边,产生辐射源。在副边的各种长线比如电源线,很容成为100M频率的天线,(波长与线尺寸相当就会变成天线),有源有天线就会辐射;3、所有的干扰最终都会返回源端的,不加Y电容,干扰从天线辐射出去,辐射到远端的GND,还会流回干扰源,加Y电容,干扰源从Y电容返回源端,毕竟电流还是要走阻抗最低的路径返回源端;4、推荐看一下郑军奇EMC书,很直观。

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