用了很长时间思考这个问题，首先说结论，饱和时瞬间Ic/Ib的比值肯定是大于 三极管处于放大的该比值的，我们可以画个NPN型的三极管（模电中输出特性曲线就是用的NPN型），保持BE间电压不变（可直接将E电压设定为0V），b设定为0.7V,然后给C取值，大家可以看到，当C点电压越大，只要C点电压大于0.7v，三极管均处于放大状态，也就是输出特性中曲线与直接的交界点，UCE大于0.7v后，三极管处于放大状态，当把C电压降到0~0.7v时，集电结就不在反偏了，当BE=CE时，三极管处于临界饱和状态，然后我们分析下饱和状态，发射结正偏，集电结正偏，我们知道IE=IB+IC，这主要是发射结杂质浓度高，一部分通过扩散运动与基区结合，形成Ib电流，另外大部分都通过扩散运动到集电结，形成集电结电流，在NPN管中，设c点电压为0，此时集电结正偏，电子运动加剧，外加从发射结扩散过来的电子，电流变大，所以饱和时还需考虑电场的影响作用（集电结正偏时，促进电子运动加速，此时电流是扩散运动+电场力 一起作用的，在保持IB 不变的情况下，放大区和饱和区所需的扩散运动电流，明显放大时值大些，所以我个人的理解是将IC分解成扩散运动形成的IC1+电场力形成的IC2,放大时电场力是反作用（反偏时还需要克服PN结），饱和时是正作用（pn结正偏形成电流），所以在在保持IB 不变的情况下,放大时需要的扩散运动电流IC1大些，大家把IC肢解成扩散运动形成的IC1与PN结正偏反偏形成的IC2就好理解了，输出特性曲线IC理解成扩散运动形成的IC1就可以解释了
