回复新材料前沿潜力股：没有了电介质隧道势垒的限制，设计和制造自旋电子器件将会变得更加灵活
新材料前沿潜力股
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基于石墨烯的自旋电子器件常借助电介质隧道势垒实现有效自旋注入，但在二维表面直接生长超薄电介质极具挑战且不可靠。 今日，英国剑桥大学Soumya Sarkar、Yan Wang、Manish Chhowalla等在《Nature Electronics》发文，报道在石墨烯横向自旋阀中，利用铟和钴（In - Co）铁磁范德华接触进行自旋注入，无需沉积电介质隧道势垒。 该方法获1.5%±0.5%磁电阻值（自旋信号约50Ω），与含氧化物隧道势垒的先进石墨烯横向自旋阀相当，工作器件成品率超70%。而仅含钴的非范德瓦尔斯接触横向自旋阀低效，磁电阻最多约0.2%（自旋信号约3Ω）。铁磁铟钴范德瓦尔斯接触电阻为2 - 5kΩ，且与互补金属氧化物半导体器件兼容。
