回复百材号角：希望这项技术能够尽快落地，给市场带来真正的变革
百材号角
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近日，英国公司Paragraf在石墨烯电子产品大规模生产研发领域取得突破，获英国创新基金超40万英镑联合资助，用于打造基于硅平台的新型半导体记忆技术概念验证原型，旨在实现石墨烯铁电场效应晶体管（G-FeFET），该技术采用新类别铁电材料及Paragraf独特的免转移石墨烯沉积工艺。 同时，剑桥大学Judith Driscoll教授领导的研究团队获30万英镑专项资助，研发在免转移石墨烯表面沉积铁电材料的工艺技术，助力新型记忆设备开发。此研究有望让功耗比现有记忆技术降低一个数量级，为数据中心和消费电子设备在人工智能时代带来显著节能效益。 Paragraf总部位于剑桥郡，其石墨烯沉积工艺源于剑桥大学材料科学系。分拆独立后，已建立制造基地并设立分支机构。公司首席执行官Simon Thomas称未来计算和人工智能领域急需节能降热的存储解决方案，石墨烯优势独特，与Driscoll教授团队合作意义重大。此次跨界合作支撑了新一代存储技术发展，彰显英国在全球科技创新领域的引领地位。
