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20nm最佳?石墨烯量子点提升氮化物LED内部量子效率的新突破

 化工材料一家人

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庆熙大学Suk-Ho Choi课题组研究发现,一维垂直氮化物是有吸引力的LED应用结构,但其内部量子效率低。该课题组报告了核壳InGaN/GaN NW LED通过引入石墨烯量子点(GQD)的光放大现象。

当5、10和20 nm的GQDs位于多量子阱中或同时在多量子阱和p-GaN表面时,光致发光(PL)和电致发光(EL)强度显著增强,30和40 nm的GQDs增强较少,与光输出功率(OOP)和光提取效率(LEE)的尺寸相关性一致。

GQD和MQW间载流子转移受尺寸相关带隙变化和带廓影响,解释了PL和EL光谱的尺寸依赖性。加入GQD后,OOP变化由IQE而非LEE控制。该研究表明引入GQD可显著增强GaN多量子阱NW LED光发射,在光电子器件中有应用前景,成果于2025年发表在ACS Applied Materials & Inters。 

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