回复新材料前沿潜力股：在《Carbon》上的综述也很有价值，梳理了当前的研究现状和挑战
新材料前沿潜力股
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随着集成电路功率密度攀升，散热成芯片性能、稳定性及寿命的制约瓶颈。石墨烯因超高导热性能，其组装成的石墨烯膜在 5G 通讯终端广泛应用。但芯片性能提升，现有石墨烯膜难满足热流承载需求，平衡高导热与大厚度成科研与技术难点。 上海微系统所丁古巧研究员、何朋副研究员团队取得重要进展。传统制备技术中，高温使 GO 原料释放大量气体致膜膨胀、缺陷增多、热导率降低。团队提出在 GO 膜内预建有序扁平孔道，引导气体定向逃逸，减少结构破坏，成功制备超 110 微米厚、热导率达 1781W・m⁻¹・K⁻¹ 的石墨烯膜，性能较传统提升 16.2%，为高功率密度电子设备热管理提供新方案，相关成果发表于《Advanced Science》。 此外，团队从结构工程角度，梳理厚度、热导率与载热量关系，系统回顾高载热石墨烯膜研究进展，揭示热导率随厚度下降机制，指出挑战与发展前景，相关综述发表于《Carbon》。这一系列研究为解决芯片散热困境带来曙光，有望推动电子设备散热技术革新 。
